【應用摘要下載】執行精確高效率直流 I-V 特性分析的方法
MOSFET 是現代電子電路設計中最常見的電晶體裝置之一,主要用於切換和功率放大器應用。MOSFET 在電氣切換電路中具有出色的效能,因為這些裝置具有兩種相反的電氣特性:在關斷狀態下可控制極低的電流,而在導通狀態下則可控制一定量的電流。直流 I-V 特性分析目前仍是廣泛用於 MOSFET 裝置基本特性分析且不可或缺的方法。在最
MOSFET 是現代電子電路設計中最常見的電晶體裝置之一,主要用於切換和功率放大器應用。MOSFET 在電氣切換電路中具有出色的效能,因為這些裝置具有兩種相反的電氣特性:在關斷狀態下可控制極低的電流,而在導通狀態下則可控制一定量的電流。直流 I-V 特性分析目前仍是廣泛用於 MOSFET 裝置基本特性分析且不可或缺的方法。在最
您將了解從晶片驗證到系統整合,確保快速且可靠的互連,為大規模 AI 效能提供關鍵支援。親愛的客戶您好,隨著 AI 工作負載持續推動資料傳輸與運算需求的爆炸性成長,互連效能已成為下一代系統設計的核心基礎。 PCIe 6.0 具備 64 GT/s 的資料速率並採用 PAM4 訊號技術,代表裝置間通訊架構的重大革新,影響範圍涵蓋 GPU、加速
AI、雲端運算以及資料密集型應用的快速擴張,資料中心網路的需求「正在重新定義」。 為了支援大規模平行處理與進階工作負載,系統架構師正採用 800G 與 1.6T 的高速乙太網路技術,這些技術是下一代 AI 伺服器與運算基礎架構通訊骨幹的關鍵推動力。 本次將重點介紹超高速乙太網路部署的最新進展與測試挑戰,包括: ● 每通