Tektronix：加速 MOSFET 的 CHC 可靠度測試
09-03
通道熱載子（CHC）劣化是現代超大型積體電路（ULSI）中重要的可靠度議題。當載子在 MOSFET 通道中的強電場作用下獲得高動能時，便可能產生此現象。此效應亦稱為熱載子注入（Hot Carrier Injection，HCI），會影響 NMOS 與 PMOS 元件，並隨時間造成臨界電壓（VT）、次臨界斜率（Subthreshold Slope）、導通電流（ID,on）、關
通道熱載子（CHC）劣化是現代超大型積體電路（ULSI）中重要的可靠度議題。當載子在 MOSFET 通道中的強電場作用下獲得高動能時，便可能產生此現象。此效應亦稱為熱載子注入（Hot Carrier Injection，HCI），會影響 NMOS 與 PMOS 元件，並隨時間造成臨界電壓（VT）、次臨界斜率（Subthreshold Slope）、導通電流（ID,on）、關
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