【技術指南下載】全力協助推動 eVTOL 技術的未來發展
eVTOL 正在以永續、安靜、快速的客運方式改變區域空中交通。為了實現這個願景,製造商必須滿足嚴格的法規要求,獲得安全認證,並確保電池和動力系統可靠運作。EA Elektro-Automatik的一站式測試系統為 eVTOL 開發過程提供強力的支持,不論是電池壓力測試以提升續航里程,或是最佳化動力系統效率,確保產品做好上市準備,並實

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您將了解創新的USB4測試策略如何促進成功的產品開發,隨USB4® 和 USB4 版本 2.0 正在重新定義連接性與電力傳輸的標準。 資料速率可達 80 Gbps,並擴展對 DisplayPort 通道的支援,USB4 在廣泛的電子生態系統中扮演關鍵角色,提供無縫、高頻寬、低延遲的連線。 在這個複雜且快速演進的標準中,確保相容性與互通性需要先進的設

碳化矽 (SiC) MOSFET 通常會表現出滯後效應,這主要是由於陷阱效應,會導致閾值電壓 (Vth) 發生偏移。這種閾值電壓差異會影響某些裝置參數,例如漏電流和導通電阻。為了解決滯後效應,JEDEC (聯合電子裝置工程委員會) 推出了 JEP183A 標準,該標準為 SiC MOSFET 裝置的閾值電壓量測提供了準則。4200A-SCS 參數分析儀與 Clar

MOSFET 是現代電子電路設計中最常見的電晶體裝置之一,主要用於切換和功率放大器應用。MOSFET 在電氣切換電路中具有出色的效能,因為這些裝置具有兩種相反的電氣特性:在關斷狀態下可控制極低的電流,而在導通狀態下則可控制一定量的電流。直流 I-V 特性分析目前仍是廣泛用於 MOSFET 裝置基本特性分析且不可或缺的方法。在最

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