發布時間：2025-12-10 10:47:58 人氣：87
碳化矽 (SiC) MOSFET 通常會表現出滯後效應，這主要是由於陷阱效應，會導致閾值電壓 (Vth) 發生偏移。
這種閾值電壓差異會影響某些裝置參數，例如漏電流和導通電阻。為了解決滯後效應，
JEDEC (聯合電子裝置工程委員會) 推出了 JEP183A 標準，該標準為 SiC MOSFET 裝置的閾值電壓量測提供了準則。
4200A-SCS 參數分析儀與 Clarius+ 軟體套件和兩台 SMU 配合使用，
可使用以 JEDEC JEP183A 標準為基礎的測試方法進行精確的閾值電壓量測。
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