Tektronix：加速 MOSFET 的 CHC 可靠度測試
通道熱載子（CHC）劣化是現代超大型積體電路（ULSI）中重要的可靠度議題。當載子在 MOSFET 通道中的強電場作用下獲得高動能時，便可能產生此現象。此效應亦稱為熱載子注入（Hot Carrier Injection，HCI），會影響 NMOS 與 PMOS 元件，並隨時間造成臨界電壓（VT）、次臨界斜率（Subthreshold Slope）、導通電流（ID,on）、關
通道熱載子（CHC）劣化是現代超大型積體電路（ULSI）中重要的可靠度議題。當載子在 MOSFET 通道中的強電場作用下獲得高動能時，便可能產生此現象。此效應亦稱為熱載子注入（Hot Carrier Injection，HCI），會影響 NMOS 與 PMOS 元件，並隨時間造成臨界電壓（VT）、次臨界斜率（Subthreshold Slope）、導通電流（ID,on）、關
AI 浪潮正加速運算架構、半導體、高速介面與電源技術的快速演進，而每一次技術突破，都始於更精準、更可靠的量測。 深耕測試與量測領域 80 年，Tektronix 持續協助工程師迎接從高速訊號、次世代晶片到高效率電源設計的全新挑戰。結合 Tektronix、Keithley 與EA Elektro-Automatik 的完整技
隨著資料傳輸速率持續提升，訊號完整性（Signal Integrity）所面臨的挑戰也快速增加。通道損耗（Channel Loss）與符際干擾（Inter-Symbol Interference, ISI）會壓縮眼圖開口，阻抗不連續則可能產生反射；甚至量測環境中的探棒、纜線和治具，也可能改變實際觀測點，使其偏離待測元件（Device）的接腳位置。Tektronix
