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發布時間:2026-06-02 15:19:55 人氣:3

隨著 AI ServerData Center Power Shelf 功率密度持續提升,

SiC GaN Wide Bandgap 功率元件已成為新世代 PSU 設計核心,

更高切換速度與高 dv/dt 特性,也讓驗證難度同步增加。

 

支援高功率密度 PSU 的關鍵,其實在於同時實現低 Switching Loss、低 Ripple Noise 與安全 SOA 操作。

 

Switching Loss 容易受到量測誤差影響,高 dv/dt Ground Loop 可能導致波形失真與 V/I 不同步;

Hot Plug Short Circuit 等瞬態情境下,更難確認 SOA 安全邊界,使設計看似正常,實際卻隱藏效率與可靠度風險。

Tektronix MSO4B / MSO5B 搭配 WBG Double Pulse TestPower Analysis 與完整 Probe 解決方案,

協助工程師建立更可信賴的量測流程。

例如:透過自動化 DPT 分析,可快速完成 Switching LossDynamic Rds(on) Reverse Recovery 參數驗證 功率元件,

結合Power Analysis軟體方案確保元件在SOA安全工作區域,再透過 IsoVu™ Power Rail 先進專用探棒,

即使在高 dv/dt 環境下,仍能建立更可信賴的量測結果。

當設計進入高頻、高功率時代,量測精度不再只是測試需求,而是影響效率、穩定性與安全設計的重要依據。

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