發布時間：2026-09-03 10:09:30 人氣：2
通道熱載子（CHC）劣化是現代超大型積體電路（ULSI）中重要的可靠度議題。
當載子在 MOSFET 通道中的強電場作用下獲得高動能時，便可能產生此現象。
此效應亦稱為熱載子注入（Hot Carrier Injection，HCI），會影響 NMOS 與 PMOS 元件，
並隨時間造成臨界電壓（VT）、次臨界斜率（Subthreshold Slope）、
導通電流（ID,on）、關斷電流（ID,off）以及閘極電流等關鍵參數的劣化。
其劣化速度則會因元件結構與製程技術不同而有所差異。
隨著元件尺寸持續微縮以及新材料的導入，晶圓層級的可靠度測試變得日益重要，
因此在研發階段進行更早期且更精準的特性分析已成為關鍵需求。
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