【隨時觀看網路研討會】解鎖雙脈衝測試的寶貴見解!
03-13
如何使切換損耗降至最低仍是從事 SiC 和 GaN 裝置工作的電源裝置工程師所面臨的主要挑戰。用於量測切換參數和評估 Si、SiC 和 GaN MOSFET 和 IGBT 動態行為的標準測試方法是雙脈衝測試 (DPT)在本隨選點播網路研討會中，您將：瞭解正確測試碳化矽 (SiC) 裝置的技術。檢閱建立雙脈衝測試設定的注意事項。概覽基本設備、設定、
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