高功率裝置特性分析開發和使用 MOSFETS、IGBT、二極體和其他高功率裝置，需要全方位的裝置層次特性分析，例如崩潰電壓、接通電流和電容量測。吉時利的一系列高功率參數曲線追蹤儀配置支援全範圍的裝置類型和測試參數。吉時利的參數曲線追蹤儀配置包括特性分析工程師迅速開發完整測試系統所需的一切。型號說明高電壓模
高功率裝置特性分析
開發和使用 MOSFETS、IGBT、二極體和其他高功率裝置，需要全方位的裝置層次特性分析，例如崩潰電壓、接通電流和電容量測。吉時利的一系列高功率參數曲線追蹤儀配置支援全範圍的裝置類型和測試參數。吉時利的參數曲線追蹤儀配置包括特性分析工程師迅速開發完整測試系統所需的一切。
型號 | 說明 | 高電壓模式 | 高電流模式 |
2600-PCT-1B | 低功率 | 200 V/10 A | 200 V/10 A |
2600-PCT-2B | 高電流 | 200 V/10 A | 40 V/10 A |
2600-PCT-3B | 高壓 | 3 kV/120 mA | 200 V/10 A |
2600-PCT-4B | 高電流和高電壓 | 3 kV/120 mA | 40 V/50 A |
功能
● 針對最佳價格和效能設計的完整解決方案● 可實地升級和重新配置 -- 將您的 PCT 轉換為可靠度或晶片分類測試儀● 可配置的功率位準： ☀ 從 200V 到 3kV ☀ 從 1A 到 100A● 寬動態範圍： ☀ 從 μV 到 3kV ☀ 從 fA 到 100A● 全範圍電容-電壓 (C-V) 功能： ☀ fF 到 μF ☀ 支援 2、3 和 4 終端裝置 ☀ 高達 3kV 直流偏壓● 高效能測試治具支援一系列的套件類型● 探測站介面支援大部分探測類型，包括 HV 三同軸線、SHV 同軸線、標準三同軸線等等
