發布時間：2024-03-26 11:34:44 人氣：87
寬能隙裝置在電力電子技術中眾所周知。碳化矽 (SiC) 是一種發展潛力強大的材料，
與矽基元件相比，其在增益效率和功率密度方面具有優勢，可提供高電壓和高電流。
臨界電壓 (Vt) 是功率 MOSFET 的關鍵裝置特性參數。然而，
使用 SiC MOSFET 進行臨界電壓量測存在可靠性問題，
臨界電壓可能會根據先前的閘極偏壓而出現變化。這
種臨界電壓變化也會影響其他裝置特性，例如漏電流和導通電阻 (RdsOn)。
在我們最新的應用摘要中，瞭解如何根據 JEDEC 標準 JEP183A 對臨界電壓進行可靠的量測。
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