發布時間：2024-03-13 14:51:24 人氣：361
如何使切換損耗降至最低仍是從事 SiC 和 GaN 裝置工作的電源裝置工程師所面臨的主要挑戰。
用於量測切換參數和評估 Si、SiC 和 GaN MOSFET 和 IGBT 動態行為的標準測試方法是雙脈衝測試 (DPT)
在本隨選點播網路研討會中，您將：
瞭解正確測試碳化矽 (SiC) 裝置的技術。
檢閱建立雙脈衝測試設定的注意事項。
概覽基本設備、設定、連接和探棒。
查看探測策略的技術注意事項。
解鎖產業專家 Masashi Nogawa（Qorvo 系統工程師）對寬能隙雙脈衝測試的寶貴見解。
