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【隨時觀看網路研討會】解鎖雙脈衝測試的寶貴見解!

發布時間:2024-03-13 14:51:24 人氣:311

如何使切換損耗降至最低仍是從事 SiC GaN 裝置工作的電源裝置工程師所面臨的主要挑戰。

用於量測切換參數和評估 SiSiC GaN MOSFET IGBT 動態行為的標準測試方法是雙脈衝測試 (DPT)


在本隨選點播網路研討會中,您將:

  • 瞭解正確測試碳化矽 (SiC) 裝置的技術。

  • 檢閱建立雙脈衝測試設定的注意事項。

  • 概覽基本設備、設定、連接和探棒。

  • 查看探測策略的技術注意事項。

解鎖產業專家 Masashi NogawaQorvo 系統工程師)對寬能隙雙脈衝測試的寶貴見解。

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