【Tektronix & EA Elektro-Automatik】汽車技術的擴展解決方案
汽車產業數位化轉型的步伐從未如此快速。高速資料通訊、電力電子和電池技術的進步正在推動更高的效能,進而生產出更安全、更高效的車輛,同時也為工程師帶來全新的挑戰。Tektronix 旨在為您提供測試和量測解決方案,以因應現今和未來的汽車挑戰。高功率電子測試和量測解決方案領域的技術領導者 EA Elektro-Automatik 現在已
汽車產業數位化轉型的步伐從未如此快速。高速資料通訊、電力電子和電池技術的進步正在推動更高的效能,進而生產出更安全、更高效的車輛,同時也為工程師帶來全新的挑戰。Tektronix 旨在為您提供測試和量測解決方案,以因應現今和未來的汽車挑戰。高功率電子測試和量測解決方案領域的技術領導者 EA Elektro-Automatik 現在已
新韌體發布 ─ 立即更新您的 Tektronix 示波器!感謝您擁有 Tektronix 4、5 或 6 系列 MSO 示波器。新韌體版本 (V2.8) 已發布,可供您下載。此新韌體版本提供以下新功能:選配 6-SRUSB3USB 3.0 通訊協定解碼與搜尋現已可用於 6 系列 MSO。此選配可供購買。具有有效 PRO-SERIAL 或 ULTIMATE 套件組合授權的 6 系
Tektronix 電源分析儀器和系統擁有以下優勢,可協助您進行一致的量測:自動設定待機功率和切換損耗等量測經過測試的內建電源量測演算法提供有助於快速產生報告的工具在展示影片中觀看實際的電源量測和分析解決方案,並透過全方位應用摘要瞭解更多資訊。觀看及下載
寬能隙裝置在電力電子技術中眾所周知。碳化矽 (SiC) 是一種發展潛力強大的材料,與矽基元件相比,其在增益效率和功率密度方面具有優勢,可提供高電壓和高電流。臨界電壓 (Vt) 是功率 MOSFET 的關鍵裝置特性參數。然而,使用 SiC MOSFET 進行臨界電壓量測存在可靠性問題,臨界電壓可能會根據先前的閘極偏壓而出現變化。這種臨
如何使切換損耗降至最低仍是從事 SiC 和 GaN 裝置工作的電源裝置工程師所面臨的主要挑戰。用於量測切換參數和評估 Si、SiC 和 GaN MOSFET 和 IGBT 動態行為的標準測試方法是雙脈衝測試 (DPT)在本隨選點播網路研討會中,您將:瞭解正確測試碳化矽 (SiC) 裝置的技術。檢閱建立雙脈衝測試設定的注意事項。概覽基本設備、設定、