影片:示波器觸發器的基礎知識
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輕鬆、準確、快速地取得元件層級和電路層級電容的資料 如 MOSFET、IGBT 和 BJT 等半導體裝置的切換速度會受到元件自身電容的影響。為了妥善設計其電路以提高效率,設計人員需要充分瞭解這些參數。 從此應用摘要中,您將瞭解: 如何使用4200A-CVIV 多功能開關中的偏壓T 型接頭進行CISS、COSS和CRSS 量測。 展示如何在汲極上進行更高的電壓量測,將儀器的直流輸出電壓從200 V 加倍至400 V,這對於測試GaN 裝置等更高功率的半導體而言是非常有用的特性。 下載應用摘要 ⟩
靜電放電 (ESD) 造成的相容性測試失敗難以除錯。放電無法預測,而且可能會干擾量測。幸運的是,ESD 模擬器可以將受控制的放電訊號注入產品中,進而引發產品故障。但是,在待測裝置中追蹤 ESD 電流仍非易事。瞭解更多資訊,請下載我們的新應用摘要 「使用示波器對 ESD 相容性測試失敗進行疑難排解」。其中包括: 有關ESD 相容性測試失敗的疑難排解技術ESD 基礎理論適用於ESD 疑難排解的基本測試系統,包括磁場探棒、示波器和ESD 模擬器如何在待測裝置中進行量測並追蹤ESD 電流路徑 下載應用摘要 ⟩